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1.半导体退火的原理

半导体材料在晶体生长和制造过程中,由于各种原因会出现缺陷、杂质、位错等结构性缺陷,导致晶格不完整,施加电场后的电导率较低。通过退火处理,可以使材料得到修复,结晶体内部重新排列,去除大部分缺陷和杂质,恢复晶格完整,提高电导率和电学性能。
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上火?退火?
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半导体退火工艺原理是半导体制造过程中的一项重要工艺,它可以改善半导体材料的电学性能和结构性能,提高半导体器件的性能和可靠性。退火的作用是改变半导体原子的位置,在晶体内部重新排列和疏松,使缺陷处的原子移动到缺陷内部或晶体边界,缺陷被消除或减少到最小限度。同时,退火还可以帮助调整材料禁带宽度,提高晶体品质和结晶程度,从而改善材料的电学性能。
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导体退火是指将半导体材料在一定的温度下加热一段时间,然后缓慢冷却的过程。退火过程中,半导体材料的晶格结构发生改变,缺陷被修复,杂质被扩散,从而改善了半导体材料的电学性能和结构性能。
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图解:
a) 不同实验条件下残余应力的释放
b) 半导体激光退火工艺(1.83 W/mm2)时测量得到的温度

http://www.ds6.com.cn/news/92092.html

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